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文檔簡介
1、本文利用高溫DSC差熱分析、熱速處理、快速凝固等方法對Al-12wt.%Sn、Al-12wt.%Sn-4wt.%Si合金熔體進(jìn)行了細(xì)致研究,并分析了合金熔體結(jié)構(gòu)變化與凝固組織的關(guān)系。另外利用自行研制的電阻率測量儀采用直流四電極法測量了Ga-Sb合金熔體在不同成分和溫度下的電阻率。
對Al-12wt.%Sn合金進(jìn)行了DSC測試,發(fā)現(xiàn)在DSC曲線溫度點(diǎn)735-750℃和845-858℃左右存在著吸熱峰,由此確定合金熱速處理的過
2、熱溫度為900℃和780℃。熱速處理的結(jié)果顯示經(jīng)過熱速處理的合金組織明顯細(xì)化。組織中的Sn相也趨于均勻細(xì)小。同時,通過研究保溫時間對合金熔體熱速處理的影響發(fā)現(xiàn),經(jīng)900℃快速激冷到700℃時,由于馳豫現(xiàn)象的存在,保溫時間短的熔體大部份保留了900℃的熔體結(jié)構(gòu),試樣的組織比較細(xì)小。
利用高溫熔體黏度儀對Al-12wt.%Sn-4wt.%Si合金熔體進(jìn)行了黏度測試。結(jié)果證明隨著溫度的降低,合金熔體黏度在998K-968K和11
3、38K-1103K處出現(xiàn)不連續(xù)的變化。而利用DSC對Al-12wt.%Sn-4wt.%Si進(jìn)行測試時發(fā)現(xiàn)合金熔化以后,在1013K和1083K處,曲線上仍然出現(xiàn)了吸熱峰,說明合金熔體出現(xiàn)了不連續(xù)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。分析認(rèn)為,共價結(jié)合的Si-Si、Sn-Sn原子團(tuán)簇的形成和Al、Si和Sn原子結(jié)合成原子團(tuán)簇并迅速長大,分別是引起這兩個溫度區(qū)間內(nèi)熔體結(jié)構(gòu)不連續(xù)轉(zhuǎn)變的原因。由黏度突變所反映出的熔體結(jié)構(gòu)不連續(xù)轉(zhuǎn)變溫度和由DSC分析所得的熔體結(jié)構(gòu)不連續(xù)轉(zhuǎn)變
4、溫度雖然相近,但是還是存在一定的溫度差。這是由于試驗過程中,兩種測量方法的升溫制度以及它們所反映的物理性質(zhì)不同引起的。找到異常溫度點(diǎn)之后利用快速凝固的方法觀察Al-12wt.%Sn-4wt.%Si合金在963K、1100K和1200K溫度下快速凝固的鑄態(tài)組織發(fā)現(xiàn),熔體過熱溫度越高,快速凝固后組織越細(xì)小,尤其是含量較高的白色Sn相,在1200K下快速凝固后呈現(xiàn)接近彌散分布的顆粒狀。這是由于溫度越高,合金熔體中原子團(tuán)簇的尺寸越小,在較高的溫
5、度下原子團(tuán)簇可能分解,熔體趨于均勻,快速凝固可以將熔體的這些特征保留到鑄態(tài)。因此,在試驗溫度范圍內(nèi),過熱度越高,熔體快速凝固后組織越均勻細(xì)小。
使用自行研制的電阻率測量儀采用直流四電極法測量了液態(tài)Ⅲ-Ⅴ族體系的Ga-Sb合金熔體不同成分電阻率-溫度曲線。研究發(fā)現(xiàn),隨著Sb含量的增加,Ga-Sb合金熔體的電阻率升高。Ga50Sb50合金熔體的電阻率在715-735℃溫度區(qū)間內(nèi)出現(xiàn)了異常變化,其余幾個成分點(diǎn)的電阻率-溫度曲線在
6、熔點(diǎn)以上50-100℃的范圍內(nèi)由于有大量原子團(tuán)簇的產(chǎn)生不成線性關(guān)系。由于Ga50Sb50是一種比較特殊的化合物,晶體屬于半導(dǎo)體化合物,熔化后該合金的電阻率及其溫度系數(shù)呈現(xiàn)典型的金屬特征,原子之間的作用力為金屬鍵。當(dāng)溫度降至735℃時,金屬鍵開始大量向共價鍵轉(zhuǎn)變,此時原子分布處于混亂狀態(tài),電子運(yùn)動受到阻礙,隨著共價鍵量的增加,熔體中原本處于自由態(tài)的電子逐漸被束縛,使電子輸運(yùn)性能下降,所以電阻率在735℃時升高,當(dāng)熔體溫度達(dá)到723℃時共價
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