準(zhǔn)分子激光剝離紫外發(fā)光二極管的研究.pdf

1、分類號(hào)【)C：密編準(zhǔn)分子激光剝離紫外發(fā)光二極管的研究THESTUDYOFEXClMERLASERLIFFOFFFORULTRAVIOLETLIGHTEMITTINGDIODES學(xué)位授予單位及代碼：量查型』盤堂flQl豎2學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：塑堡生i堂!Q!Q塑12研究方同：芏昱佳邀堂鹽地型生熊盔申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：亟塵指導(dǎo)教師：!出撻叢煎逸研究，k：籃塑淪史起止時(shí)州：20iO】l20lI【!摘要激光剝離技術(shù)是現(xiàn)階段獲得紫外LED卅延片的熱rJ

2、方法，它禮二獲得異質(zhì)外延片的過程中肯其它蝕刻方法所4i具茁的優(yōu)勢(shì)。本文研究了不同激光脈沖對(duì)GaN材料的影響，獲搿了準(zhǔn)分子激光在異質(zhì)外延膜剝離過程中的作蹦參數(shù)。針對(duì)紫外發(fā)光GaN外延膜提出了不同的剝離方法，咀及現(xiàn)在階段用激光剝離技術(shù)生產(chǎn)紫外發(fā)光二極管的實(shí)際應(yīng)用，并時(shí)剝離前后GaN膜的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了分析。獲得了準(zhǔn)分子激光剝離的雖佳條件。通過600mJ／crnz38ns，10Hz，248nm的KrF準(zhǔn)分子激光器得到直徑75mm的GaN外延膜。