X波段MMIC陶瓷QFN高密度封裝技術(shù)的研究.pdf

1、本文詳細介紹了電子封裝的發(fā)展歷程和趨勢，并對QFN封裝尤其是陶瓷QFN封裝進行了深入的分析。QFN封裝技術(shù)具有尺寸小，封裝密度高，電磁和熱性能優(yōu)異，模塊化，低成本的優(yōu)點，正越來越多的替代傳統(tǒng)的封裝形式，獲得了大量的需求。而陶瓷QFN封裝由于其氣密和高可靠的優(yōu)勢，也越來越多的受到高可靠應用用戶的青睞。
　　本文利用三維電磁仿真軟件HFSS對X波段MMIC封裝外殼的電路結(jié)構(gòu)進行了設計和優(yōu)化。通過增加高電感補償結(jié)構(gòu)以及在微帶線與帶狀線之

2、間增加過渡結(jié)構(gòu)，有效改善了三維傳輸端口的傳輸特性。通過在外殼底部增加密集陣列接地通孔，消除了6.5GHz和11.5GHz處的諧振。獲得了在X波段內(nèi)插損小于0.5dB，電壓駐波比小于1.3的較好仿真結(jié)果。并對實際產(chǎn)品進行了測試，測試結(jié)果與仿真結(jié)果具有較高的一致性。
　　基于外殼結(jié)構(gòu)和熱設計的相關理論和方法，利用通用有限元分析軟件Ansys建立了兩種外殼結(jié)構(gòu)和散熱分析模型，對兩種外殼進行了釬焊狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)應力仿真以及在典型大功率芯片封