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1、南京理工大學(xué)碩士學(xué)位論文基于GaN器件射頻功率放大電路的設(shè)計姓名:夏磊申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):通信與信息系統(tǒng)指導(dǎo)教師:趙建中20100601Abstract碩士論文Abstract功emainworkofthisthesisisdesigningaRFpowercircuitwhichisbasedonGaNtransistordevicesAbroadbandmatchingcircuitisproposedinSbandnetran
2、sistorsusedinthecircuitsarehighelectronmobilitytransistors(HEMT)(CGH40010andCGH40045)ofCREEcompanyThemainworkisasfollows:FirstlythebroadbandmatchingcircuitsaredesignedAfteranalyzingthestabilityofCGH400l0andCGH40045GaNHEM
3、Tover27GHz~35GHztheirstaticoperatingpointsaresetup,andthebroadbandimpedancematchingcircuitisdesignedInaddition,abalancedtwobranchstructureconsistsoftaperlineisproposed,thesimulationandoptimizationarecompletedbyADSTheperf
4、ormancemeetsthefollowingcharacteristics:thebandwidth800MHz,thegaininpass—banddB(S(2,1))10dB,VSWRlQ,VSWR2Q,3dBcompressionpointoutputpower40dBm,46dBm,andefficiency40%SecondlythebiascircuitforthepowercircuitisdesignedRequir
5、ementsarethatpositivevoltageiscontrolledbynegativevoltage,andovercurrentprotectionshouldbeconsideredWiththeapplicationofOreadanalogcircuitsimulationsoftware,thepowercircuitmeetingtherequirementshasbeendesignedFinallyusin
6、gAltiumDesignerSummer08andAutoCADmappingsoftware,printedcircuitboardofthepoweramplifierandbiassupplycircuitsaremadeAfterthetestsofhardwarecircuitsallrequirementsforthecircuitsaresatisfiedKeywords:powercircuit,highelectro
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