電荷泵及MOSFET測試失效的控制研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、集成電路元器件測試中，各種失效機制的研究是業(yè)內(nèi)普遍關(guān)注的問題，是提高良品率、降低成本的前提。本文通過對charge-pump及MOSFET測試失效機理以及由工藝缺陷所引起的失效機制的分析，提出了測試所需要采取的控制措施。通過數(shù)據(jù)采集及失效分布分析來制定失效控制線，扣留低良率批次。對測試機精度進行統(tǒng)計分布控制以監(jiān)督測試的準(zhǔn)確性，在測試站進行“防呆措施”的設(shè)置，分析測試中所發(fā)現(xiàn)的失效以反映各站工藝缺陷。并介紹了相關(guān)軟件以幫助簡化繁瑣龐大的數(shù)

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