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文檔簡(jiǎn)介
1、在工業(yè)控制系統(tǒng)、通信及測(cè)量系統(tǒng)中,隔離器是一種應(yīng)用廣泛且十分重要的電子元器件,其作用就是為了消除地電位差,隔離瞬態(tài)事件產(chǎn)生的破壞性噪聲。一直以來(lái),主要采用光電隔離器將一些破壞性信號(hào)隔離開(kāi)來(lái)。與光電隔離器相比,巨磁電阻隔離器以其集成度高、體積小、速度快、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn),受到越來(lái)越多的關(guān)注。本論文主要圍繞著巨磁電阻隔離器平面線圈的設(shè)計(jì)仿真、自旋閥薄膜材料的制備、隔離器的制作工藝和性能測(cè)試幾個(gè)方面來(lái)開(kāi)展工作。
論文首先研究了巨磁電
2、阻隔離器的結(jié)構(gòu)和工作原理,并對(duì)其中的重要結(jié)構(gòu)平面線圈進(jìn)行了磁場(chǎng)仿真,在此基礎(chǔ)上,確定了巨磁電阻隔離器對(duì)自旋閥薄膜材料的性能要求。
其次,根據(jù)巨磁電阻隔離器對(duì)自旋閥薄膜材料的要求,以基本的自旋閥結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),采用NiFe/CoFe復(fù)合自由層,研究了復(fù)合自由層中NiFe、CoFe以及金屬層Cu的厚度對(duì)自旋閥薄膜材料的性能的影響,經(jīng)過(guò)多次優(yōu)化,得到的自旋閥薄膜材料磁電阻變化為2.7%,矯頑力為15Oe,工作偏置點(diǎn)在H=3Oe,在此基礎(chǔ)
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