2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩83頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、近年來,在高溫、高頻、大功率器件等領(lǐng)域有著廣闊應(yīng)用的GaN基材料,一直是研究的熱點(diǎn)。此材料體系作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,有著寬的帶隙、高的擊穿電場、高的飽和電子漂移速度、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。以此為基礎(chǔ)制備的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(HFET)是GaN基電子器件最重要的代表,其具有高的跨導(dǎo)、高的飽和電流、高的截止頻率、高的擊穿電壓等優(yōu)良特性。
  自從世界上第一支AlGaN/GaN HFET1993年

2、問世以來,人們對此器件的研究一直沒有間斷,已經(jīng)達(dá)到了產(chǎn)業(yè)和實(shí)用化的水平。但是,仍然存在諸多問題,例如GaN基材料里高的空穴摻雜效率問題、高Al組分的HFET發(fā)展受阻等問題。最近,人們發(fā)現(xiàn)AlGaN層中Al組分漸變可以使器件有很多優(yōu)良的特性,對解決上述問題很有幫助。由此出現(xiàn)了AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管。因此深入研究AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管(PolFETs)有著非常重要的意義?;诖?,本論文進(jìn)行了以下方面的研究。<

3、br>  1.AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管工作原理的分析和研究。器件工作原理是器件分析的基礎(chǔ)。我們通過對材料結(jié)構(gòu)的理解,解釋了溝道3DEG的來源?;诖宋覀兘Y(jié)合MESFET的工作原理,試著分析了器件工作原理。鑒于其器件材料的結(jié)構(gòu),我們分析和闡述了該AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管(PolFETs)器件載流子可能受到的散射。
  2.AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管低場下電子遷移率計(jì)算模型的研究。器件遷移率研究

4、是器件研究的基礎(chǔ)。在上述研究基礎(chǔ)上,我們分析了AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管(PolFETs)器件低場下電子遷移率計(jì)算模型。
  3.不同尺寸的AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管低場下遷移率研究。
  (a)AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管中相同源漏間距的器件電子低場遷移率研究。我們制作了源漏間距不變(100μm、60μm)柵長變化的AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管兩種類型的器件,其中源漏間距為100

5、μm的器件有正常歐姆器件和邊歐姆器件兩種。我們利用測試得到的C-V曲線和測量雜質(zhì)分布的C-V法得到了各個器件3DEG的濃度分布情況,通過C-V曲線積分得到了各個器件3DEG的面密度,進(jìn)而得到了各個器件不同柵壓下的3DEG的平均濃度。根據(jù)上述該類型器件低場下電子遷移率計(jì)算模型,結(jié)合我們實(shí)驗(yàn)測得的相應(yīng)器件的I-V特性曲線,我們得到了各器件在不同柵壓下的電子低場遷移率情況。我們結(jié)合極性光學(xué)聲子散射、合金無序散射、極化庫侖場散射等對器件的載流子

6、散射情況做了詳盡的分析。我們發(fā)現(xiàn),在AlGaN/GaN PolFETs中,極化庫侖場散射起的作用相對于AlGaN/GaN HFET變?nèi)酰挥挟?dāng)柵面積很小,極化電荷密度梯度比較大時(shí),極化庫侖場散射起的作用比較大。
  (b)AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管中不同源漏間距的器件電子低場遷移率研究。我們制作了柵源和柵漏間距均為10μm、40μm的器件兩種尺寸的器件。我們用同樣的方法得到了各個器件3DEG的濃度分布情況和不同柵壓下的

7、3DEG的平均濃度。根據(jù)該類型器件低場下電子遷移率計(jì)算模型,我們得到了器件在不同柵壓下的電子低場遷移率情況。研究發(fā)現(xiàn),同樣是在柵面積比較小的時(shí)候,極化庫侖場散射起的作用比較大。
  (c)AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管中偏柵器件電子低場遷移率研究。我們制作的是源漏距離為40μm,柵長為8μm,變化柵源距離的器件。通過分析偏柵器件電子低場遷移率隨柵壓的變化情況。我們得出結(jié)論,在AlGaN/GaN極化摻雜場效應(yīng)晶體管中,極化庫

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論