制備工藝對Cr-Si-Al系電阻薄膜微觀結(jié)構(gòu)和性能的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了獲得具有高精密性的高阻值電阻薄膜,該文在Cr-Si硅化物靶材中加入Al元素,濺射制備一系列Cr-Si-Al系電阻薄膜,具體研究靶材成分、制備工藝與濺射薄膜微觀結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能的關(guān)系,這有助于掌握電阻薄膜性能的變化規(guī)律,獲得切實(shí)有效的生產(chǎn)工藝.該文采用電子探針(EPMA)分析了Cr-Si-Al系濺射薄膜及其靶材的成分,并用原子力顯微鏡(AFM)觀察各種靶材濺射膜表面形貌結(jié)構(gòu)用X射線衍射儀、透射電鏡(TEM)結(jié)合示差掃描量熱儀(DSC)分

2、析了Cr-Si-Al-Ni非晶薄膜在加熱過程中的晶化行為.考察了鋁含量對Cr-Si-Al-Ni薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電性能的影響,并結(jié)合X光電子能譜儀(XPS) 研究空氣中退火時不同鋁含量薄膜氧化層的結(jié)構(gòu).研究了濺射氮?dú)夥諏r-Si-Al電阻薄膜結(jié)構(gòu)、電性能影響,研究結(jié)果表明,氮的加入抑制了晶化相的形核和長大,與Cr-Si-Al薄膜相比, Cr-Si-Al-N薄膜欲獲得較小電阻溫度系數(shù)(TCR)需要更高的退火溫度.由于Cr-Si-Al-N膜層

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