導(dǎo)電聚合物的電化學及光譜電化學研究.pdf

1、該論文首先綜述了導(dǎo)電聚合物的研究進展,針對目前廣泛研究的聚苯胺(PAn)和聚吡咯(PPy)兩種聚合物的化學性質(zhì)、物理特性及其應(yīng)用前景進行較為綜合的論述.下面是該論文的實驗內(nèi)容摘要:1.用電化學及光譜電化學研究了硫酸溶液中苯胺在玻碳電極上的聚合降解過程,在-0.2~1.0 V電位范圍內(nèi),循環(huán)伏安圖顯示了四對氧化還原峰.通過比較PAn膜在硫酸空白溶液和含對氨基苯酚的硫酸溶液中的循環(huán)伏安曲線及電化學聚合前后溶液的紫外-可見吸收光譜,證明了PA

2、n膜的降解產(chǎn)物對氨基苯酚的存在.2.在含有相同陰離子與不同陽離子基團的電解質(zhì)溶液(NH<,4>ClO<,4>、Me<,4>NClO<,4>、Et<,4>NClO<,4>、Bu<,4>NClO<,4>)中用電位階躍技術(shù)制備了PPy膜,用循環(huán)伏安法研究了膜在LiClO<,4>空白溶液中的電化學行為.3.在十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)中制得PPy膜(PPy(DBS<'->)),再在空白電解液中循環(huán),DBS-體積很大,不能在膜中遷移,在1:l的

3、電解液(如KCl)中遷移占支配地位的是K<'+>,遷移率較小的陰離子(Cl<'->)嵌入脫出也是存在的,但峰的強度很弱.當陽離子電荷為2(如MgCl<,2>)時,Cl<'->嵌入脫出氧化峰強度增強,Mg<'2+>在第一次還原過程中嵌入膜內(nèi)與基體作用很強,不易遷移.當電解液為AlCl<,3>時,幾乎看不到Al<'3+>的嵌入脫出峰,電荷的補償基本是通過Cl<'->的嵌入脫出實現(xiàn).研究了相同條件下制得的PPy膜在NH<,4>Br、Me<,4