等通道擠壓法制備納米級奧氏體不銹鋼的實驗研究.pdf

1、本文利用自制模具對奧氏體不銹鋼進行了多道次等通道擠壓，采用掃描電鏡、透射電鏡、X射線衍射分析等手段對奧氏體不銹鋼在ECAP過程中的細化機理進行了研究?！　∈覝叵聦?0Cr18Ni12奧氏體不銹鋼進行了8道次等通道擠壓。結(jié)果表明，由于奧氏體不銹鋼的層錯能較低，交滑移難以進行，原奧氏體晶粒在剪切力的作用下以孿生和位錯滑移復合的方式進行變形，變形初期，擠壓過程中形成的高密度位錯促使胞狀結(jié)構(gòu)形成，隨變形的加劇胞狀結(jié)構(gòu)形成具有小角度取向的亞晶，

2、最后轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂写蠼嵌染Ы绲男戮Я?。擠壓到六道次時形成新晶粒尺寸約為0.25μm，八道次時晶粒則進一步細化至0.15μm。在剪切壓力作用下不銹鋼通過孿生變形形成了大量的機械孿晶。原始組織的退火孿晶和新形成的機械孿晶在進一步ECAP變形中主要通過兩種方式細化。(1)大的孿晶通過孿生和滑移的交互切割，相互作用使組織得到細化形成高密度位錯墻和位錯胞，最后形成納米和亞微米級的新的(亞)晶粒。(2)孿晶由單系孿晶通過剪切力的作用發(fā)生偏轉(zhuǎn)形成了多系孿