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1、該文在GaAs/GaAlAs雙異質(zhì)結(jié)材料上采用BOA型結(jié)構(gòu)進行波導(dǎo)型光開關(guān)的集成光學(xué)芯片的研制.該研究就是在GaAs/GaAlAs雙異質(zhì)結(jié)材料上設(shè)計高消光比,低驅(qū)動電壓,高速度,較寬范圍工作波長不敏感的高性能BOA光開關(guān).該文所設(shè)計的GaAs/GaAlAs雙異質(zhì)結(jié)材料BOA光開關(guān)的設(shè)計包括兩部分:脊波導(dǎo)和開關(guān)結(jié)構(gòu)設(shè)計以及電極結(jié)構(gòu)的設(shè)計.在該文中,作者提出一種電極的自對準工藝技術(shù),消除了電極的套刻偏差,可得到大于40dB的消光化,預(yù)期該技
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