硅基太陽(yáng)能電池的微結(jié)構(gòu)對(duì)材料光電性能的影響.pdf

1、本文采用半導(dǎo)體電子陶瓷工藝，在不同的燒結(jié)溫度下制備了含不同雜質(zhì)的硅基半導(dǎo)體材料，并用正電子湮沒(méi)壽命譜和符合正電子湮沒(méi)多普勒展寬譜對(duì)其微觀缺陷進(jìn)行了研究。用正電子壽命譜儀研究了P型硅基半導(dǎo)體和N型硅基半導(dǎo)體的微觀缺陷和電子密度；測(cè)量了硅基太陽(yáng)能電池退火(200℃，2小時(shí))前后的光電特性和正電子壽命譜。通過(guò)實(shí)驗(yàn)得到如下結(jié)論：
　　 (1)對(duì)含100ppm的B的Si基半導(dǎo)體樣品，隨著燒結(jié)溫度的升高，其多譜勒商譜降低，正電子壽命增長(zhǎng)，缺

2、陷開空間和濃度升高。
　　 (2)石墨的多譜勒商譜譜峰最高，SiO2的譜峰次之，B的譜峰最低。B，C(graphite)和SiO2(single crystal)多譜勒商譜的峰位分別在9.53x10-3，9.86x10-3和l0.52xl0-3moc，即隨著B，C和O原子序數(shù)的增加，與正電子湮沒(méi)的電子動(dòng)量增加。
　　 (3)含20％的C和含100ppm的B的SBC11硅基半導(dǎo)體樣品的商譜的譜峰最高；含100ppm的B的S

3、BC21樣品的譜峰次之；含lppm的B的SBC31樣品的譜峰最低。
　　 (4)對(duì)P型半導(dǎo)體，隨著摻B濃度的增加，空穴濃度增加，電子密度減小，導(dǎo)致半導(dǎo)體的電阻率減小，正電子壽命增大。
　　 (5)對(duì)N型半導(dǎo)體，隨著摻P濃度的增加，電子密度增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體的電阻率減小，正電子壽命減小。
　　 (6)經(jīng)200℃、2小時(shí)熱處理后的太陽(yáng)能電池的開路電壓UoC，短路電流IsC較處理前有明顯的增加，并且太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率比