2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、本文采用半導(dǎo)體電子陶瓷工藝,在不同的燒結(jié)溫度下制備了含不同雜質(zhì)的硅基半導(dǎo)體材料,并用正電子湮沒(méi)壽命譜和符合正電子湮沒(méi)多普勒展寬譜對(duì)其微觀缺陷進(jìn)行了研究。用正電子壽命譜儀研究了P型硅基半導(dǎo)體和N型硅基半導(dǎo)體的微觀缺陷和電子密度;測(cè)量了硅基太陽(yáng)能電池退火(200℃,2小時(shí))前后的光電特性和正電子壽命譜。通過(guò)實(shí)驗(yàn)得到如下結(jié)論:
   (1)對(duì)含100ppm的B的Si基半導(dǎo)體樣品,隨著燒結(jié)溫度的升高,其多譜勒商譜降低,正電子壽命增長(zhǎng),缺

2、陷開空間和濃度升高。
   (2)石墨的多譜勒商譜譜峰最高,SiO2的譜峰次之,B的譜峰最低。B,C(graphite)和SiO2(single crystal)多譜勒商譜的峰位分別在9.53x10-3,9.86x10-3和l0.52xl0-3moc,即隨著B,C和O原子序數(shù)的增加,與正電子湮沒(méi)的電子動(dòng)量增加。
   (3)含20%的C和含100ppm的B的SBC11硅基半導(dǎo)體樣品的商譜的譜峰最高;含100ppm的B的S

3、BC21樣品的譜峰次之;含lppm的B的SBC31樣品的譜峰最低。
   (4)對(duì)P型半導(dǎo)體,隨著摻B濃度的增加,空穴濃度增加,電子密度減小,導(dǎo)致半導(dǎo)體的電阻率減小,正電子壽命增大。
   (5)對(duì)N型半導(dǎo)體,隨著摻P濃度的增加,電子密度增加,導(dǎo)致半導(dǎo)體的電阻率減小,正電子壽命減小。
   (6)經(jīng)200℃、2小時(shí)熱處理后的太陽(yáng)能電池的開路電壓UoC,短路電流IsC較處理前有明顯的增加,并且太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率比

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