神經元MOS及其應用電路的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文在對器件的特性進行分析的基礎上，建立了較精確的器件HSPICE模型，并對器件的應用電路進行了深入研究。對神經元MOS的特性進行了較系統(tǒng)的分析，提出了浮柵增益因子存在飽和值的觀點，分析出浮柵增益因子受場寄生電容的影響從而解釋了浮柵增益因子出現飽和值的現象；從電路速度和功耗上對神經元MOS電路和普通CMOS電路進行了比較，討論了器件輸入端子數主要受電路的計算精度、電路速度和電源電壓等因素的限制，為神經元MOS電路的設計提供了理論指導。建

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