高介質(zhì)陶瓷材料的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文對(duì)(A,B)TiO<,3>基摻雜高介質(zhì)晶界層電容器陶瓷材料的制備、微觀組成結(jié)構(gòu)及介電性能進(jìn)行了較系統(tǒng)的研究,分析了不同工藝條件和工作環(huán)境對(duì)材料宏觀性能的影響.論文主要內(nèi)容如下:1.采用草酸鹽化學(xué)共沉淀--煅燒法制備了(A<,X>B<,1-X>)TiO<,3>為基的復(fù)合陶瓷微細(xì)粉末,通過(guò)施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)、助熔劑的摻雜,沿用傳統(tǒng)的陶瓷工藝手段制得片狀高介質(zhì)晶界層電容器功能陶瓷材料.2.在還原性氣氛下,采用高溫煅燒進(jìn)行材料的燒結(jié),然后在

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