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文檔簡介
1、該文就SiO<,2>/SiC界面質量對n溝SiCMOSFET性能的影響做了深入的研究:從碳化硅材料的晶體結構出發(fā)分析了碳化硅材料中雜質的不完全離化,采用SiCMOS反型層薄層電荷數值模型,研究了雜質不完全離化對p型6H-SiCMOSC-V特性的影響.分析結果表明不完全離化對SiCMOSFET的影響主要集中在亞閾區(qū).建立界面態(tài)密度的指數分布模型,用數值方法較為詳細的分析了界面態(tài)電荷對n溝MOSFET器件閾值,漏電流,跨導和場效應遷移率的影
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