化合物光電集成接收機的研究與設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著光纖通信技術的迅速發(fā)展,帶寬需求不斷增大,光纖通信正向以智能化、集成化、低成本和高可靠性的新一代光通信網(wǎng)絡演進。單片光電集成(OEIC)是實現(xiàn)新一代光通信的根本出路,因為它減小了混合集成中的干擾與噪聲、體積小、成品率高、可靠性好、成本低,還能實現(xiàn)各種豐富的電路功能。因此,光通訊中的光電集成接收機成為光通訊領域的研究重點。
　　 本文為了實現(xiàn)光電集成接收機的低成本又高質量的光纖入戶需求,在標準的GaInP／GaAs HBT工藝

2、上制作了能夠兼容的PIN型和肖特基勢壘(MSM)型探測器；在InGaAs PHEMT工藝上制作了兼容的MSM型探測器。
　　 同時,本文用采用無生產(chǎn)線集成電路設計方式,研究設計了10種不同結構的化合物光電集成接收機:
　　 在HBT工藝的光電集成接收機方面,設計了五種不同的跨阻前置放大器,與不同的探測器組合,比較了它們各種的特點。單端輸入的接收機接PIN型探測器時其增益約為63dB,-3dB帶寬約為7.28GHz,等效輸

3、入噪聲電流約為500nA；接MSM型探測器時,其增益約為66dB,-3dB帶寬約為7GHz,等效輸入噪聲電流約為500nA；接PIN差分探測器時,其增益約為50dB,-3dB帶寬約為4.3GHz,等效輸入噪聲電流約為1000nA；接MSM差分探測器時,其增益約為52dB,-3dB帶寬約為5.4GHz,等效輸入噪聲電流約為700nA。
　　 在PHEMT工藝的光電集成接收機方面,根據(jù)MSM型探測器,設計了五種不同的跨阻放大器,比較

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