用透射電鏡分析硅中的缺陷.pdf

1、在對半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)缺陷進(jìn)行觀察時(shí),透射電子顯微鏡有著其他觀察儀器不可比擬的優(yōu)越性,透射電子顯微鏡主要使用的像的技術(shù)有:質(zhì)厚襯度像、衍射襯度像、位相襯度像,它們的適用范圍各不相同.其中,高分辨電子顯微像可以在實(shí)空間內(nèi)直接觀測晶體局部的結(jié)構(gòu),因此而被廣泛的使用.該文利用透射電鏡作為工具,對硅中不同類型的缺陷結(jié)構(gòu)以及工藝過程中的缺陷的轉(zhuǎn)化進(jìn)行了觀測,并對我們觀察到的現(xiàn)象進(jìn)行了解釋和說明.作為補(bǔ)充,該文還對透射電鏡圖像中常見的等厚等傾條紋做出

2、了解釋,并指出了它們對于解釋缺陷的結(jié)構(gòu)有輔助作用.通過對硅中的位錯(cuò)及層錯(cuò)、Si-SiO2界面結(jié)構(gòu),以及硅中的沉積的結(jié)構(gòu)形態(tài)的分析,我們發(fā)現(xiàn),缺陷的運(yùn)動(dòng)總是朝釋放應(yīng)力和降低自身能量的方向進(jìn)行的,工藝過程中缺陷形態(tài)的變化也符合這樣的規(guī)則,位錯(cuò)的各種復(fù)合體在能量上要處于穩(wěn)定狀態(tài),他們的相互作用和結(jié)合有助于降低自身的能量.通過引入一定程度的缺陷,即硅片的吸雜技術(shù),來與晶體內(nèi)部的缺陷相互作用,使晶體內(nèi)部缺陷移動(dòng)到器件的非活性區(qū),達(dá)到減少器件活性區(qū)