版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有亮度高、功耗低、色彩柔和以及制備簡(jiǎn)易等優(yōu)點(diǎn),有望在新一代顯示與照明中得到重要應(yīng)用。所以開(kāi)發(fā)穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)、功耗低的電子器件是現(xiàn)階段以及今后研究工作的主要目標(biāo)。相比實(shí)驗(yàn)室研究取得的巨大成就,人們對(duì)有機(jī)電子器件工作的物理機(jī)理的掌握尚顯不足,這嚴(yán)重制約了有機(jī)電子器件性能的提高。
本文主要針對(duì)有機(jī)發(fā)光器件載流子注入與傳輸中存在的問(wèn)題,通過(guò)無(wú)機(jī)化合物摻雜、器件結(jié)構(gòu)的合理設(shè)計(jì)等方法提高載流子的注入或傳輸能
2、力,從而達(dá)到平衡載流子的濃度以及提高器件性能的目的。本研究主要分為以下幾個(gè)方面:
(1)導(dǎo)納譜在Cs2CO3摻雜OLED器件中的應(yīng)用
本文比較了Cs2CO3摻雜電子傳輸材料對(duì)器件性能的影響,并利用導(dǎo)納譜法結(jié)合低溫探針臺(tái)比較了不同摻雜濃度對(duì)界面注入勢(shì)壘的影響,分析了其界面注入機(jī)理。根據(jù)界面勢(shì)壘值的變化可以得到摻雜后載流子的濃度和遷移率的變化,即Cs2CO3在電子傳輸層中的摻雜可以有效的提高電子在陰極界面的注入能力,以及
3、電子在傳輸層的傳輸能力。
?。?)基于CsF摻雜BPhen的電子注入機(jī)理及器件性能的研究
通過(guò)低溫探針臺(tái)和 Keithley4200-SCS半導(dǎo)體特征分析儀對(duì)電子器件ITO/LiF/(1nm)/CsF:BPhen(150nm)/Al(100nm)的載流子注入和傳輸進(jìn)行探索。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在低比例摻雜下載流子的輸送機(jī)制為陷阱限制電流模式,而在高比例摻雜下載流子的輸送機(jī)制為空間電荷限制電流。根據(jù)不同溫度下的電流-電壓特性,
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 兩類有機(jī)半導(dǎo)體材料的N-、P-型摻雜研究.pdf
- 基于堿金屬化合物的有機(jī)半導(dǎo)體的n-型摻雜研究.pdf
- 含氟類萘二酰亞胺n-型有機(jī)半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)合成及性能研究.pdf
- N-型Ag-IN-Se基半導(dǎo)體材料的熱電性能及結(jié)構(gòu)研究.pdf
- N型半導(dǎo)體金屬有機(jī)聚合物的設(shè)計(jì)、合成與性能研究.pdf
- 雜稠芳環(huán)n型有機(jī)半導(dǎo)體遷移率的理論研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究.pdf
- 3d過(guò)渡金屬摻雜有機(jī)小分子半導(dǎo)體的特性研究.pdf
- Mn摻雜Ⅳ族半導(dǎo)體的研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體輸運(yùn)機(jī)制及器件電學(xué)性質(zhì)的研究.pdf
- 有機(jī)P型半導(dǎo)體材料的制備及其表征.pdf
- n-型自摻雜富勒烯銨鹽構(gòu)效關(guān)系研究.pdf
- 有機(jī)P型半導(dǎo)體材料的制備及表征.pdf
- 有機(jī)P型半導(dǎo)體材料的制備及性能研究.pdf
- p型及n型半導(dǎo)體三價(jià)元素磷、砷、銻。
- 摻雜型氧化鋯半導(dǎo)體陶瓷的制備及性能研究.pdf
- 半導(dǎo)體摻雜納米氧化鋅的研究.pdf
- 摻雜ZnO半導(dǎo)體磁性及其光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)及其性質(zhì)研究.pdf
- TiC-n型4H-SiC半導(dǎo)體歐姆接觸研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論