光刻工藝中聚酰亞胺層光阻減量和線寬均勻性研究.pdf

1、自從第一個晶體管問世以來，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已超過多半個世紀(jì)了，現(xiàn)在它仍保持著強勁的發(fā)展動力，繼續(xù)遵循摩爾定律：即芯片集成度每18個月翻一番。在新的世紀(jì)里半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已被定為中國的支柱產(chǎn)業(yè)之一。
　　 光刻工藝通常指采用照相的方法將光刻掩模的圖形精確地復(fù)印到表面的光刻膠硅片上面。在集成電路制造過程中需要經(jīng)過多次光刻，所以光刻質(zhì)量是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素之一，而線寬、套刻等的控制又是光刻質(zhì)量的關(guān)鍵之關(guān)鍵。本課題就是

2、以半導(dǎo)體制造這個大的環(huán)境為背景，以聚酰亞胺層光刻膠減量為目的，介紹在半導(dǎo)體制造行業(yè)中聚酰亞胺膜厚和線寬參數(shù)的控制。以及如何對線寬、套刻工藝參數(shù)等進(jìn)行系統(tǒng)性的優(yōu)化進(jìn)行研究。以減少聚酰亞胺層的缺陷和對線寬均勻性的改進(jìn)。
　　 另一方面隨半導(dǎo)體生產(chǎn)的發(fā)展所使用的硅片尺寸越來越大，為保證光刻后得到均勻的線寬和提高整枚硅片的成品率，因此對光刻均勻性的研究就變得尤為重要。由于聚酰亞胺具有高粘稠度和負(fù)光阻的性質(zhì)，線寬的均勻性和晶圓間的差異性比

3、較難控制，工藝后曝光與顯影上如何保證最終光刻的均勻做了一些研究。另外由于聚酰亞胺層光刻膠非常昂貴，本課題在光阻使用量的減少。本課題主要是以TEL TRACK ACT－8顯影/涂膠機以及NIKON步進(jìn)光刻機為基礎(chǔ)對聚酰亞胺層工藝的各項參數(shù)進(jìn)行實驗，找出最佳的參數(shù)以及調(diào)整的方法。同時對負(fù)膠光阻的光阻涂布工藝進(jìn)行了改良以以減少光刻膠的使用量。
　　 本論文首先介紹了光刻技術(shù)原理，以及光刻的發(fā)展和趨勢，接著介紹了光刻制造工藝流程以及在I