IGBT并聯(lián)直流開關的均流技術研究.pdf

1、直流大電流開關在脈沖功率技術中具有重要的應用,目前得到使用的大電流開關有機械式開關、真空開關、爆破式開關、半導體開關等,各種開關根據(jù)分斷電流的等級和各自的動作時間應用于不同工作場合。其中半導體開關自從上世紀50年代問世以來,由于功率半導體技術的進步,單個半導體開關的電壓和電流容量越來越大,利用多個半導體開關的串、并聯(lián)制作高壓、高電流的直流開關得到了很大程度的研究和應用。
　　本文使用主流的功率半導體器件IGBT直接并聯(lián)構成脈沖式直

2、流大電流開關,作者首先調(diào)研了國內(nèi)外一些IGBT并聯(lián)的應用、均流的方法,如支路串聯(lián)小電阻或扼流圈、柵極電阻調(diào)節(jié)、柵極電壓調(diào)節(jié)、觸發(fā)前后沿調(diào)節(jié)。隨后較全面的掌握一些IGBT的物理原理、電氣特性及其驅動和保護,根據(jù)前人對IGBT的數(shù)值分析研究結果提煉出工程分析表達式,借助此表達式來說明各種均流方式的原理和作用。最后在以上工作的基礎上設計和加工了一個測試開關,該測試開關綜合考慮了電路布局和結構、電磁干擾、IGBT的散熱條件等。
　　在測試