Mu、Cu氧化物改性TiO2納米管及其電化學(xué)性能研究.pdf

1、TiO2納米管陣列因其無毒、價(jià)格低廉、化學(xué)性能穩(wěn)定、資源豐富等優(yōu)點(diǎn)在解決環(huán)境污染與能源問題方面受到人們的廣泛關(guān)注。本文以TiO2納米管陣列為平臺(tái)，一方面利用合適的電化學(xué)沉積技術(shù)將Cu2O納米顆粒沉積到TiO2納米管內(nèi)構(gòu)筑可見光響應(yīng)的Cu2O/TiO2納米管異質(zhì)結(jié)光催化劑;另一方面選取錳的氧化物作為活性物質(zhì)修飾到TiO2納米管內(nèi)制備高超電容性能的電極材料。本文主要研究成果如下:
　　(1)采用脈沖和方波伏安法兩種不同電化學(xué)沉積工藝，

2、將Cu2O納米顆粒沉積到TiO2納米管內(nèi)構(gòu)筑了可見光響應(yīng)的Cu2O/TiO2納米管異質(zhì)結(jié)光催化劑。系統(tǒng)研究了電化學(xué)沉積工藝參數(shù)與異質(zhì)結(jié)的形貌和光催化性能間的關(guān)系并探討了光催化和光電催化的機(jī)理。
　　(2)利用一步化學(xué)浴沉積法合成了高電容活性的Mn3O4/TiO2納米管復(fù)合材料，研究了沉積時(shí)間與電極的超電容性能的關(guān)系。沉積時(shí)間為3h得到的電極的性能最優(yōu)、穩(wěn)定性最好，在1 A/g的恒電流充放電下得到570 F/g的比電容且經(jīng)過2000