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文檔簡介
1、該文首先介紹了混頻器的一般工作原理及其主要參數(shù),并對幾種常見的CMOS混頻器的性能作了簡單的討論.從轉(zhuǎn)換增益、噪聲和線性度方面,對CMOS開關(guān)型有源混頻器的性能,進(jìn)行了詳細(xì)的分析與研究.其中,首次分析了開關(guān)對共源節(jié)點(diǎn)處的寄生電容對開關(guān)管輸出熱噪聲的影響,結(jié)果表明:在高頻、低偏置電流的情況下,開關(guān)管輸出的熱噪聲與寄生電容、本振頻率成正比.這一結(jié)論完全不同于忽略寄生電容時(shí)的情況(與本振幅度和偏置電流成正比),仿真結(jié)果也驗(yàn)證了這一點(diǎn).對開關(guān)管
2、閃爍噪聲的物理機(jī)制,利用軟開關(guān)模式進(jìn)行了解釋,得到的結(jié)果與理論一致.利用一個(gè)簡單模型,得出了寄生電容對線性度影響的解析表達(dá)式.針對藍(lán)牙無線收發(fā)機(jī)的應(yīng)用,簡要說明了其對上/下混頻器的性能指標(biāo)要求,并對射頻電路仿真中用到的高頻MOS管模型和片上集成電感模型進(jìn)行了描述.對已有的混頻器電路結(jié)構(gòu)作了改進(jìn),利用適于低電壓工作的負(fù)反饋與電流鏡技術(shù)提高上混頻器的線性度;通過采用折疊級聯(lián)輸出的方法降低了下混頻器的輸出噪聲,同時(shí)提高了其轉(zhuǎn)換增益.基于0.3
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