基于Level Set的PECVD沉積模擬研究.pdf_第1頁(yè)
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1、在MEMS工藝中，薄膜沉積是一種非常重要的技術(shù)。其中PECVD沉積由于其突出的優(yōu)勢(shì)得到了廣泛的關(guān)注和研究。Level Set方法是一種追蹤運(yùn)動(dòng)界面的數(shù)值方法，可以較好地表示界面演化中的拓?fù)渥兓１疚脑谝延邢嚓P(guān)研究的基礎(chǔ)之上，對(duì)PECVD沉積的反應(yīng)機(jī)理做了分析闡述，并采用Level Set方法對(duì)PECVD的沉積過(guò)程進(jìn)行了模擬仿真，基于MATLAB軟件開(kāi)發(fā)了PECVD沉積的Level Set模擬程序，直觀地演示了沉積表面的變化過(guò)程。主要研究

2、內(nèi)容如下:
　　首先，分析了PECVD沉積工藝的基礎(chǔ)理論和反應(yīng)機(jī)理;論述了常用的沉積仿真系統(tǒng)模型:SPEEDIE模型、LPCVD模型、PECVD模型;選擇了PECVD的沉積速度表達(dá)式。
　　其次，對(duì)Level Set方法進(jìn)行了詳細(xì)的理論講述，包括Level Set函數(shù)，Level Set方程的構(gòu)造及其數(shù)值求解，Level Set方法應(yīng)用的一般步驟。
　　第三，建立了基于Level Set方法的PECVD沉積模型，包括沉

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