幾種納米復(fù)合材料的制備及其在電化學(xué)傳感器中的應(yīng)用.pdf

1、本論文將具有高比表面積、高導(dǎo)電性的導(dǎo)電納米材料和對(duì)目標(biāo)分子具有預(yù)定選擇性的分子印跡聚合物（molecularly imprinted polymer，MIP）相結(jié)合，以甲硝唑（metronidazole，MNZ）和多巴胺（dopamine，DA）分別作為模式分析物，構(gòu)建了四種新型復(fù)合納米材料修飾的電化學(xué)傳感器，并將其應(yīng)用于藥物制劑和生物樣品中MNZ和DA的檢測。具體工作概述如下：
　?。?）基于多壁碳納米管（multi-walle

2、d carbon nanotubes，MWCNTs）和MIP修飾甲硝唑電化學(xué)傳感器的制備及其應(yīng)用：將MWCNT的分散液滴涂至玻碳電極（glass carbon electrode，GCE）表面后，以該電極作為工作電極（MWCNT/GCE），與鉑絲和飽和甘汞電極構(gòu)成三電極體系。將三電極體系置于含有功能單體和模板分子MNZ的混合溶液中，采用循環(huán)伏安法（cyclic voltammetry，CV）在MWCNT/GCE表面電聚合即得到 MWCN

3、T和 MNZ-MIP修飾的電化學(xué)傳感器（ MNZ-MIP/MWCNT/GCE）。對(duì)制備過程中一系列參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，并通過掃描電子顯微鏡（scanning electron microscopy，SEM）和透射電子顯微鏡（transmission electron microscopy，TEM）對(duì)MNZ-MIP/MWCNT復(fù)合膜進(jìn)行了形貌表征，通過CV對(duì)MNZ-MIP/MWCNT/GCE的各項(xiàng)電化學(xué)性能進(jìn)行了評(píng)價(jià)。最后成功將其應(yīng)用于市售甲

4、硝唑片劑和魚肉組織中MNZ含量測定。
　?。?）基于納米多孔金（nano porous gold leaf，NPGL）和MIP修飾甲硝唑電化學(xué)傳感器的制備及其應(yīng)用：將Au-Ag合金放置于濃硝酸中腐蝕除去Ag，得到NPGL，將其貼合于金電極（gold electrode，GE）表面，以該電極作為工作電極（NPGL/GE），與鉑絲和飽和甘汞電極構(gòu)成三電極體系。將三電極體系置于含有功能單體和模板分子MNZ的混合溶液中，采用CV在NPGL

5、/GE表面電聚合得到NPGL和MNZ-MIP修飾的電化學(xué)傳感器（MNZ-MIP/NPGL/GE）。對(duì)制備過程中一系列參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。通過SEM和CV對(duì)MNZ-MIP/NPGL復(fù)合膜進(jìn)行了形貌表征以及考察了MNZ-MIP/NPGL/GE的各項(xiàng)電化學(xué)性能。最后成功將其應(yīng)用于市售甲硝唑片劑和魚肉組織中MNZ含量測定。
　?。?）基于中空鎳納米球（hollow nickel nanospheres，HNNSs）和MIP修飾甲硝唑電化學(xué)傳感

6、器的制備及其應(yīng)用：將GE作為工作電極，與鉑絲和飽和甘汞電極構(gòu)成三電極體系置于含Cu、Ni的電鍍液中，將Cu-Ni合金于正電位下沉積至GE表面，然后將該三電極體系置于相同溶液中于負(fù)電位下除去Cu，得到HNNS修飾的電極HNNS/GE。接著將HNNS/GE作為工作電極與鉑絲和飽和甘汞電極構(gòu)成新的三電極體系，將該三電極體系放置于含有功能單體和模板分子 MNZ的混合溶液中，采用CV在HNNS/GE表面電聚合后得到HNNS和MNZ-MIP修飾的電

7、化學(xué)傳感器（MNZ-MIP/HNNS/GE）。通過SEM對(duì)MNZ-MIP/HNNS復(fù)合膜進(jìn)行了形貌表征，用能譜分析（energy dispersive spectrograph，EDS）對(duì)Cu-Ni合金和HNNSs中元素組成進(jìn)行了分析，通過采用CV和阻抗分析法（electrochemical impedance spectroscopy，EIS）對(duì)MNZ-MIP/HNNS/GE的各項(xiàng)電化學(xué)性能進(jìn)行評(píng)價(jià)。最后成功將其應(yīng)用于市售甲硝唑片劑和

8、魚肉組織中MNZ含量測定。
　　（4）基于中空鎳納米球（hollow nickel nanospheres，HNNSs）和MIP修飾多巴胺電化學(xué)傳感器的制備及其應(yīng)用：HNNS/GE的制備過程同（3），將HNNS/GE作為工作電極與鉑絲和飽和甘汞電極構(gòu)成三電極體系，將該三電極體系置于含有功能單體和模板分子DA的混合溶液中，采用CV在HNNS/GE表面電聚合后得到HNNS和DA-MIP修飾的電化學(xué)傳感器（DA-MIP/HNNS/GE）