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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著近年來無線通信系統(tǒng)的不斷發(fā)展，人們對(duì)于無線通信設(shè)備的需求越來越大，對(duì)于其性能要求也越來越高。無線通信系統(tǒng)，例如無線局域網(wǎng)（WLAN）、手機(jī)等等，已經(jīng)進(jìn)入到了我們生活中的方方面面。
功率放大器作為無線收發(fā)系統(tǒng)中能量消耗最大的環(huán)節(jié)，在很大程度上影響著整個(gè)系統(tǒng)的性能好壞。目前的功率放大器較多的都是采用化合物半導(dǎo)體工藝制造的，導(dǎo)致其很難與其它基于CMOS工藝的模塊集成在同一塊芯片上。這就為我們使用CMOS工藝設(shè)計(jì)功率放大器帶來了極
2、大的動(dòng)力。
SOI CMOS工藝與傳統(tǒng)的BULK CMOS工藝相比，在功率放大器的設(shè)計(jì)中，有著很多的優(yōu)點(diǎn)，例如更小的寄生參數(shù)，更好的隔絕度以及方便的版圖繪制等等。此次設(shè)計(jì)中，我們將使用 IBM0.18μm SOI CMOS工藝來完成設(shè)計(jì)與仿真。
本文首先介紹了功率放大器的背景知識(shí)，包括功率放大器的性能指標(biāo)、分類以及提升性能的方法。然后介紹此次設(shè)計(jì)中使用的SOI CMOS工藝，以及其與傳統(tǒng)BULK CMOS工藝的優(yōu)勢(shì)。
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