銅摻雜硒化銀材料的制備和性能研究.pdf

1、各國的學者都運用摻雜這種方法來研究材料新的結構和性能。自摻雜的非化學計量比的硒化銀和碲化銀材料產生了非常大的奇特的線性磁電阻效應( LMR),即電阻率隨著磁場的增加而發(fā)生線性變化。這種線性變化在較寬的溫度范圍(1K300K-)和超寬的磁場范圍(1mT～55T)都存在。這種奇異的線性磁電阻效應因其潛在巨大應用價值已引起了研究者的廣泛關注,本文通過銅摻雜探索對Ag Sed+的結構和性能影響。
　　本文通過對五種實驗方案的研究,探索利用

2、化學沉降法制備銅摻雜Ag Sed+的可行性以及它的工藝。實驗中對五種方案所得產物進行表征分析,結果表明只有第五種方案比較合適。分析表明:在利用化學沉降制備粉末樣品的過程中,原料的反應時間和原料加入的順序是非常重要的工藝參數(shù),反應時間為10h左右比較合適;原料加入的順序會影響所得產物,分階段加入原料時雜質能夠摻雜進去;在固相合成過程中,預燒結、燒結的最高溫度和在最高溫度點下的保溫時間是重要的工藝參數(shù),實驗發(fā)現(xiàn)只有在300℃左右對粉末樣品進

3、行預燒結,并且燒結溫度在450℃-500℃的范圍內都可以燒結出比較致密的硒化銀晶體。在燒結過程中通入氬氣或者氮氣作為保護氣體。
　　本文通過改變化學反應中硒、銅以及銀的相對含量,利用化學沉降法得到含不同銅摻雜量的過量銀的硒化銀納米顆粒,然后通過固相合成法制備出塊狀晶體。采用XRD、XRF和FSEM對制備的硒化銀進行表征,結果表明,在固相燒結過程,當降溫為自然降溫, XRD的圖譜和標準的硒化銀一致,而當快速降到室溫的情況下,所有的特