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1、對(duì)半導(dǎo)體、金屬合金、拓?fù)浣^緣體和半金屬的表面和界面的電子性質(zhì)的研究引起了人們廣泛的關(guān)注,這不僅是因?yàn)檫@些電子性質(zhì)對(duì)于器件應(yīng)用上的重要性,也因?yàn)樗鼈冊(cè)诨A(chǔ)研究中的重要意義。本文主要利用角分辨紫外光電子能譜(ARPES)和基于第一性原理的密度泛函理論(DFT)計(jì)算對(duì)有機(jī)一無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料界面、金屬合金表面、拓?fù)浣^緣體表面以及半金屬表面的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。
我們利用角分辨紫外光電子能譜(ARPES)和密度泛函理論(DFT)計(jì)算研
2、究了tetracene分子在傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Si(111)-(7×7)襯底表面的電子態(tài)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在有機(jī)-無(wú)機(jī)界面形成了表面偶極子。計(jì)算結(jié)果表明在Si(111)-(7×7)襯底上,tetracene分子的最穩(wěn)定吸附位置是分子中心吸附在硅附加原子的頂位,而分子長(zhǎng)軸沿襯底表面的[1(1)0]晶向。另外我們通過(guò)溫度調(diào)控的角分辨紫外光電子能譜(ARPES)研究了Bi/Ag(111)表面Rashba劈裂能態(tài)的強(qiáng)電聲子耦合作用。我們采用了二維擬合模
3、型對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,結(jié)果表明電聲子耦合常數(shù)λ≈0.55,遠(yuǎn)大于銀體材料及Ag(111)表面的電聲子耦合常數(shù),另外隨著結(jié)合能的變化電聲子耦合常數(shù)基本不變。我們還研究了典型拓?fù)浣^緣體Bi2Se3的表面結(jié)構(gòu),主要側(cè)重于拓?fù)浔砻鎽B(tài)的溫度及結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性研究。我們發(fā)現(xiàn)了時(shí)間調(diào)控的表面能帶彎曲,這導(dǎo)致了表面上二維電子氣的形成。二維電子氣跟拓?fù)浔砻鎽B(tài)可以共存。通過(guò)對(duì)拓?fù)浔砻鎽B(tài)的量化分析發(fā)現(xiàn)能帶內(nèi)散射引起的電聲子耦合強(qiáng)度遠(yuǎn)大于相應(yīng)的貴金屬表面的電聲子耦合強(qiáng)度
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