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1、該文的目的來自于650nm半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化對(duì)理論基礎(chǔ)的要求,因?yàn)榧す馄鞯男阅芘c其結(jié)構(gòu)密切相關(guān),該文著重闡明其中的關(guān)系.由于650nm半導(dǎo)體激光器的有源層采取的是GaInP/AlGaInP應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu),為了加大載流子限制,往往需要加入較大的壓應(yīng)變,這是需要調(diào)整阱材料中的Ga組分.因?yàn)榧ど洳ㄩL是由阱材料中的Ga組分和量子阱的寬度兩個(gè)量確定的,如果調(diào)整其中一個(gè)量,另一個(gè)必須做出相應(yīng)的變化才能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)定波長的激射.而且阱的寬度不能太小,否則
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