鋁電解電容器用陰極鋁箔腐蝕工藝研究.pdf

1、中圖分類號(hào)UDCTM535540碩士學(xué)位論文學(xué)校代碼!Q5三蘭密級公開鋁電解電容器用陰極鋁箔腐蝕工藝研究ResearchOnetchingprocessofaluminumcathodefoilforaluminumelectrolyticcapacitor作者姓名：學(xué)科專業(yè)：研究方向：學(xué)院(系、所)：指導(dǎo)教師：玉日泉有色金屬冶金鋁電解電容器冶金與環(huán)境學(xué)院秦毅紅教授中南大學(xué)2013年6月鋁電解電容器用陰極箔腐蝕工藝研究摘要：為滿足電子設(shè)

2、備和裝置的小型化和片式化的需求，現(xiàn)代電子行業(yè)要求鋁電解電容器不斷縮小體積和提高比容量。而鋁電解電容器體積的縮小和比容量的提高主要受限于鋁電解電容器中陰極鋁箔、陽極鋁箔的比表面積。本文研究了通過腐蝕增大陰極箔比表面積的工藝過程，研究了緩蝕劑對腐蝕工藝過程的影響。腐蝕之前的預(yù)處理過程，采用堿洗方法，通過實(shí)驗(yàn)得出合適的堿預(yù)處理?xiàng)l件為：堿(氫氧化鈉)預(yù)處理液濃度范圍為6％～8％，預(yù)處理時(shí)間為60s～70s，溫度范圍為45℃～50℃?？疾炝他}酸濃

3、度、硫酸濃度、腐蝕時(shí)間和腐蝕溫度對陰極箔腐蝕擴(kuò)面的影響，得出合適的酸腐蝕工藝條件為：腐蝕液成分控制為鹽酸15molL～2molL一，硫酸濃度為O2molL～，控制腐蝕時(shí)間55s～60s，腐蝕溫度45℃。當(dāng)鹽酸濃度為2molL～，硫酸濃度為O2molL～，腐蝕時(shí)間60s，腐蝕溫度45℃時(shí)，所得腐蝕鋁箔的比容量達(dá)到最大，為2237gFcm“2。在此條件下，鋁箔的失重率為2576％，腐蝕箔表面呈現(xiàn)分布均勻的腐蝕孔。緩蝕劑的直接添加，可以有效的

4、抑制鋁箔表面的腐蝕反應(yīng)，腐蝕孔變得稀疏。通過調(diào)節(jié)腐蝕工藝參數(shù)，可以獲得腐蝕狀態(tài)比較好的陰極鋁箔，同時(shí)腐蝕鋁箔表面蝕孔分布均勻，比容量進(jìn)一步提高。本文研究了硫脲和六次甲基四胺對鋁電解電容器用陰極箔腐蝕過程的影響。腐蝕液體系成分鹽酸2molL。1硫酸o2molL～，當(dāng)緩蝕劑為硫脲時(shí)，合適的工藝條件為：硫脲濃度為O5gL一，控制腐蝕溫度60℃，腐蝕時(shí)間70s，此時(shí)腐蝕箔比容量為2469心cm2。當(dāng)緩蝕劑為六次甲基四胺時(shí)，合適的工藝條件為：當(dāng)六