粉源對碳化硅晶體結(jié)晶質(zhì)量的影響.pdf

1、SiC材料是一種非常有前途的半導(dǎo)體材料，經(jīng)過科研人員的不斷努力單晶品質(zhì)取得了長足的進(jìn)步，但是目前仍存在各種問題，其中微管缺陷是一種不可忽視的缺陷類型，本文介紹了SiC晶體的性能、結(jié)構(gòu)和生長工藝；分析了影響晶體結(jié)晶質(zhì)量的因素，包括源料、溫度和溫度梯度。探討了微管缺陷的類型和形成原因。初步研究了使用高純的硅粉、碳粉合成的碳化硅微粉的工藝；使用在SiC粉中摻入Si粉和使用合成的SiC微粉這兩種方法進(jìn)行SiC晶體的生長。使用體視顯微鏡和X射線衍

2、射儀對實(shí)驗(yàn)所得的晶體進(jìn)行了測試，得到了以下結(jié)論：
　　 (1)利用高純的硅粉、碳粉在高溫下合成出了碳化硅微粉，通過在固定的源料粒徑、反應(yīng)壓強(qiáng)下改變溫度、反應(yīng)時(shí)間、源料Si/C摩爾比，得到這三個(gè)因素對產(chǎn)物碳化硅微粉的影響。
　　 (2)通過使用高純的硅粉、碳粉合成的碳化硅微粉、以及在碳硅粉中摻入硅粉的兩種方法生長的碳化硅單晶中的微管缺陷有明顯減少。
　　 (3)對生長的單晶片進(jìn)行X射線衍射，比較不同單晶片同一衍射位