特高壓VFTO對(duì)二次設(shè)備電磁騷擾的研究.pdf

1、特高壓GlS變電站隔離開關(guān)操作時(shí)所產(chǎn)生的VFTO會(huì)影響二次設(shè)備的正常工作,本論文結(jié)合國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973計(jì)劃)“交直流特高壓輸電系統(tǒng)電磁與絕緣特性的基礎(chǔ)問題研究”(項(xiàng)目編號(hào):2011CB209405),主要是針對(duì)VFTO輻射場(chǎng)對(duì)二次設(shè)備的電磁騷擾進(jìn)行了研究。由于其屬于瞬態(tài)電磁學(xué)的研究領(lǐng)域,因此采用時(shí)域有限差分法(FDTD)作為本論文研究的理論基礎(chǔ)。
　　 論文首先從理論上分析了電磁場(chǎng)屏蔽的基本原理、VFTO輻射場(chǎng)對(duì)二

2、次設(shè)備的耦合機(jī)理以及耦合途徑。其次論文結(jié)合FDTD的基本原理,使用電磁場(chǎng)仿真軟件XFDTD建立有孔矩形腔體計(jì)算模型,并定義了VFTO空間場(chǎng)仿真激勵(lì)源。通過改變開孔的形狀、開孔的長寬比、孔陣之間的距離以及孔陣的數(shù)量等參數(shù),論文分析了腔體上的開孔對(duì)腔體內(nèi)耦合場(chǎng)的影響。由于二次設(shè)備內(nèi)部存在的PCB板會(huì)影響耦合場(chǎng)的時(shí)域及頻域特性,論文通過改變介質(zhì)板與開孔的距離、介質(zhì)板的尺寸等參數(shù),分析了含介質(zhì)板的腔體耦合場(chǎng)的時(shí)域與頻域特性。然后論文研究了VFT

3、O輻射場(chǎng)對(duì)二次設(shè)備內(nèi)部微帶線的影響,通過改變開孔的尺寸、電場(chǎng)的極化方向分析了屏蔽體內(nèi)的微帶線上所感應(yīng)的騷擾電壓水平。由于外界電磁波還會(huì)通過電纜的裸露部分耦合進(jìn)入二次設(shè)備內(nèi)部,因此論文還研究了在VFTO空間場(chǎng)下裸露在自由空間中的短線纜長度參數(shù)的改變對(duì)二次設(shè)備內(nèi)部電了線路的影響。為了對(duì)仿真結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證,論文將某實(shí)際二次設(shè)備放到1000kVGIS真型平臺(tái)中進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)模擬測(cè)試,模擬GIS變電站中隔離開關(guān)操作所產(chǎn)生的VFTO輻射場(chǎng)對(duì)二次設(shè)備的電磁騷