大功率高速光波導(dǎo)探測(cè)器的制作.pdf

1、大功率高速光波導(dǎo)探測(cè)器在光控相控陣?yán)走_(dá)、超高速測(cè)試系統(tǒng)和光纖局域網(wǎng)通信系統(tǒng)中，是一個(gè)關(guān)鍵器件，其性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)起著決定性作用。本論文研制基于單載流子垂直方向耦合光波導(dǎo)探測(cè)器(Uni-Traveling-Carrier Vertical Directional Coupling Waveguide Photodetector，UTC-VDCPD)。論文采用垂直方向耦合器解決表面垂直入射型探測(cè)器響應(yīng)速率和響應(yīng)度相互制約的矛盾，從而有望實(shí)現(xiàn)了

2、大功率高速的性能。
　　本論文從光波導(dǎo)探測(cè)器的基礎(chǔ)理論、測(cè)試平臺(tái)、制備工藝和制備過(guò)程中所遇到的難題等方面展開(kāi)了研究工作。具體的主要工作如下：
　　1、大功率高速光探測(cè)器的設(shè)計(jì)
　　設(shè)計(jì)完成了光波導(dǎo)探測(cè)器各層的結(jié)構(gòu)參數(shù)、材料以及對(duì)應(yīng)厚度，論文詳細(xì)介紹了基片生長(zhǎng)完成后，基片表面的各種缺陷以及這些缺陷給稍后的制備帶來(lái)的不良影響。
　　2、InP基光波導(dǎo)探測(cè)器制作工藝
　　論文分析了InP基光波導(dǎo)工藝步驟，結(jié)合器件

3、結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)和優(yōu)化光刻版版圖，再根據(jù)加工工藝精度和材料的限制，考慮了前端輸入波導(dǎo)、上端耦合層、左右電極的各種參數(shù)，以及光刻版對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，器件型號(hào)等完成光刻版版圖的設(shè)計(jì)。
　　3、探測(cè)器的制備
　　論文分解了探測(cè)器制備工藝。在普通Si基片上完成光刻工藝調(diào)試和工藝流程的驗(yàn)證；在InP基片上完成刻蝕工藝調(diào)試（寬度、角度和刻蝕速率等），光刻對(duì)準(zhǔn)工藝的驗(yàn)證，完成實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析總結(jié)；用正式基片完成加工（包括光刻、顯影、ICP刻蝕和電極制作）。