大功率半導體激光器腔面鈍化工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著科技的發(fā)展，對高功率半導體激光器的需求變得越來越大，因此研究它的可靠性和提高它的輸出功率就顯得非常重要。研究表明，腔面退化是激光器產(chǎn)生退化的主要原因，特別是以GaAs為基礎的含Al的高功率半導體激光器的腔面退化更為嚴重。所以，本論文從腔面退化機理展開，以808nmGaAs/AlGaAs高功率半導體激光器做為研究對象，提出了可以改善激光器腔面退化問題的方案，即腔面鈍化的工藝，從而提高激光器的輸出功率和可靠性。
　　本論文首先研究

2、分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的表面性質(zhì)，指出表面態(tài)引起的非輻射復合是GaAs/AlGaAs激光器腔面發(fā)生光學災變損傷的主要原因。
　　在激光器腔面鈍化工藝的研究方面，本論文深入研究了含硫溶液的濕法鈍化及硫化氫和氬混合等離子體的干法鈍化工藝。在激光器腔面鍍膜工藝方面，研究了高反射膜和增透膜的工藝。
　　總之，本論文通過對激光器腔面的鈍化工藝技術(shù)的研究，進一步提高了激光器的穩(wěn)定性和COD的閾值，為激光器在高功率和高溫條件下的應

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