已閱讀1頁,還剩68頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 影響納米CMOS器件單粒子效應(yīng)電荷收集共享關(guān)鍵問題研究.pdf
- 槽柵功率MOSFET單粒子效應(yīng)模擬研究.pdf
- 功率MOSFET單粒子效應(yīng)及輻射加固研究.pdf
- SOI FinFET器件與組合邏輯電路單粒子效應(yīng)研究.pdf
- SOI MOSFET的靜態(tài)特性研究.pdf
- 基于SOI CMOS的SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)參數(shù)提取技術(shù)研究.pdf
- 抗輻照SOI MOSFET模型研究.pdf
- SOI MOSFET的高頻特性研究.pdf
- 納米集成電路單粒子瞬變中電荷收集機理及加固方法研究.pdf
- 體硅-SOI MOSFET 與LDMOS的非準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)研究.pdf
- 超低溫SOI MOSFET模型研究.pdf
- 基于PSP擴展的SOI MOSFET模型研究.pdf
- 基于BSIMSOI的SOI-MOSFET模型研究.pdf
- GaAsHBT單粒子效應(yīng)的研究.pdf
- 考慮自熱效應(yīng)的SOI MOSFET漏電流模型及熱阻研究.pdf
- SOI MOSFET高頻特性及噪聲模型研究.pdf
- 折疊共源共柵放大器單粒子效應(yīng)電荷抵消加固技術(shù).pdf
- SRAM單粒子效應(yīng)評估方法研究.pdf
- 單粒子效應(yīng)電路模擬方法研究.pdf
- 納米雙柵MOSFET器件中單雜質(zhì)效應(yīng)研究.pdf
評論
0/150
提交評論