弧電源功率因數(shù)校正和并聯(lián)控制的研究.pdf

1、電弧離子鍍將真空電弧放電技術(shù)應(yīng)用于電弧蒸發(fā)源的鍍膜過程中,可以在不同材料上沉積具有不同性能的金屬、非金屬、化合物及多元合金等膜層,廣泛應(yīng)用于機(jī)械、電子和航空航天等工業(yè)領(lǐng)域?；‰娫词钦婵针娀‰x子鍍中提供和控制能量的關(guān)鍵設(shè)備,研制高功率因數(shù)及功率密度的弧電源已成為發(fā)展趨勢。
　　本文對基于CCM的功率因數(shù)校正技術(shù)進(jìn)行了深入的研究,綜合考慮校正效果與成本后,選擇了三相單開關(guān)電路作為三相APFC的主電路拓?fù)?并對其工作原理進(jìn)行了分析;考慮

2、到雙閉環(huán)系統(tǒng)較好的跟隨性與抗擾性,選擇平均電流模式作為控制模式,該模式具有對噪聲不敏感的優(yōu)點(diǎn)。結(jié)合主電路拓?fù)浞治隽似湫Ｕ脑?根據(jù)小信號模型設(shè)計(jì)了電壓調(diào)節(jié)器與電流調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)和參數(shù),并對所設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證,證明了電路的合理性。
　　其次對經(jīng)過功率因數(shù)校正的高壓輸入場合下直直變換方案進(jìn)行了選取,對輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)移相全橋(ISOP-PSFB)組合變換器進(jìn)行了詳細(xì)介紹。通過對比,選擇共用占空比控制策略來實(shí)現(xiàn)輸入均壓和輸出均流