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文檔簡(jiǎn)介
1、當(dāng)前太陽(yáng)能電池的一個(gè)普遍問題就是效率偏低,且要求比較大的面積,尤其是宇航,衛(wèi)星,航空航天領(lǐng)域中這些問題就變得更加的棘手,非常迫切的需要解決。目前硅基太陽(yáng)能電池已經(jīng)做到了極限,人們迫切的需要一種新型高效太陽(yáng)能電池來滿足需求。
InGaN太陽(yáng)能電池有著不可比擬的優(yōu)勢(shì)。首先,作為直接帶隙半導(dǎo)體,其吸收系數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于間接帶隙半導(dǎo)體,其次,InGaN合金的禁帶寬度可以從0.7eV到3.4eV連續(xù)可調(diào),完美的對(duì)應(yīng)太陽(yáng)光譜,若對(duì)應(yīng)制作多結(jié)太陽(yáng)
2、能電池,其效率可以達(dá)到67%.很多理論也表明,相比于 GaAs太陽(yáng)能電池而言,InGaN太陽(yáng)能電池具有更好的抗輻照能力。
本文首先對(duì)太陽(yáng)能電池做了一些簡(jiǎn)要的介紹,后面主要以外延片生長(zhǎng)為主,由于InGaN太陽(yáng)能電池非常復(fù)雜,本文主要研究單結(jié)外延片的生長(zhǎng)。
主要成果有
1:研究了脈沖生長(zhǎng)與直接生長(zhǎng)對(duì)InGaN合金的影響,發(fā)現(xiàn)脈沖生長(zhǎng)能提高結(jié)晶質(zhì)量,但是會(huì)降低銦的組分
2:生長(zhǎng)溫度的影響,發(fā)現(xiàn)溫度升高,
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