基于晶格失配InGaAs熱光伏電池材料生長及系統(tǒng)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、熱光伏電池即紅外光電池，就是將高溫物體的熱輻射能通過半導(dǎo)體pn結(jié)轉(zhuǎn)換成電能。本文討論InP襯底外延In0.68Ga0.32As熱光伏電池研制工作中的一些關(guān)鍵問題，主要內(nèi)容包括:
　　1.由于InP襯底與In0.68Ga0.32As頂層材料有1.3％的晶格失配，由于InAsP與InGaAs的界面復(fù)合系數(shù)非常小，故采用組分x漸變的InAsxP1-x作為緩沖層來解決晶格失配產(chǎn)生的應(yīng)力缺陷問題。
　　2.為了優(yōu)化InAsxP1-x緩

2、沖層的結(jié)構(gòu)，對組分步進變化的生長方式同張應(yīng)變和壓應(yīng)變交替生長的方式做了比較，結(jié)果表明后者明顯優(yōu)于前者。當張應(yīng)變層和壓應(yīng)變層的總數(shù)增加到14層，且每層厚度取優(yōu)值150nm時，In0.68Ga0.32As頂層和InP襯底之間處于完全弛豫狀態(tài)，In0.68Ga0.32As薄膜中缺陷較少，表面粗糙度為1.44nm，光致發(fā)光測試表明其禁帶寬度約為0.6eV。
　　3.采用上述的優(yōu)化緩沖層結(jié)構(gòu)試制了一個In0.68Ga0.32As熱光伏電池，

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