Ag2Se納米晶的多型體相變及其催化ZnSe納米線生長的研究.pdf

1、Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅵ族金屬硒化物是一類重要的半導體納米材料，其帶隙通常在0.1到3.0 eV之間，可作為各種紅外探測器件、發(fā)光裝置、光催化和光敏傳感材料。而研究指出，金屬硒化物的諸多物理、化學性能與其內在結構密切相關，并常常展現出結構依賴的物理特性。本論文旨在探索研究Ag2Se納米晶相（結構）控制合成及其相變規(guī)律，以及利用其高溫超離子導體相催化制備一維ZnSe納米線的生長機理。
　　納米尺度的一級固-固相變是固態(tài)物理和化學研究領域的一

2、個重要課題，而對物相依賴的物理、化學性能的研究也備受關注。研究中分別采用油胺媒介回流法和PVP協(xié)助的溶劑熱法成功制備出了亞穩(wěn)四方(t) Ag2Se納米晶，進而對比研究了Ag2Se納米晶多型體(即四方(t)，正交(β)，和立方(α))之間的相變過程及規(guī)律。DSC和變溫的XRD研究結果表明，通過兩種不同方法合成的t-Ag2Se納米晶在穩(wěn)定性和相轉變行為方面存在顯著的差異。油胺回流法制備的t-Ag2Se納米晶表現出對溫度和時間敏感的亞穩(wěn)定性，

3、在DSC熱循環(huán)過程中經歷了t→β→α→β相結構轉變的過程，其中t→β相結構的轉變是一個放熱和不可逆的過程。有趣的是，通過油胺回流法在不同后處理和穩(wěn)定條件下還可以合成β-Ag2Se，此時β→α相變過程是可逆的，其相變行為和其溫度與文獻報道一致。不同的是，PVP協(xié)助的溶劑熱法合成的t-Ag2Se納米晶則較為穩(wěn)定，展現出一個直接的、可逆的t→α相結構的轉變，而沒有經過β相結構;然而，當加熱到更高的溫度時，例如≥250℃，t相結構的穩(wěn)定性和t→

4、α相變的可逆性將會被破壞，此時在DSC循環(huán)中出現t→α→β相變過程。其原因可歸結于樣品的燒結和尺寸的增加。研究中我們把亞穩(wěn)四方t相的形成歸因于當合成溫度(160-220℃)冷卻到室溫時，Ag2Se發(fā)生α→t相的結構轉變。此外，我們基于尺寸、形狀（即表面特性）及缺陷對固-固相變熱力學和動力學的影響，討論了兩種方法合成的t-Ag2Se納米晶體其穩(wěn)定性和相變行為差異的原因。
　　立方α-Ag2Se是高溫超離子導體，具有高密度的Ag+離子

5、空位、快速移動的Ag+離子以及剛性的Se2-亞離子格子。本論文基于我們組最近提出的溶液-固體-固體(Solution-Solid-Solid，SSS)納米線催化生長機理，利用高溫超離子導體相Ag2Se納米晶為催化劑，研究一維ZnSe納米線/棒在溶液中的催化生長。在納米線催化生長機理中，催化劑顆粒通常保留在納米線的一端，這可以用來制備一維異質結的納米材料?；谶@一特性和液相催化生長路線，本論文成功合成了由Ag2Se催化劑顆粒“頭部”和Zn