陽極氧化法制備雙層多孔硅的工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、單晶硅太陽能電池因其原料充足,工藝成熟,效率較高占據(jù)著太陽電池的主要市場,但是成本過高卻成為阻礙其發(fā)展的瓶頸,而成本低廉的薄膜太陽能電池效率又過低。利用薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)制備的單晶硅太陽電池,既可以降低制造成本,又能夠保證單晶硅電池的效率,是單晶硅電池的主要發(fā)展方向之一。薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)首先需要獲得具有不同孔隙度的雙層多孔硅。因此本文從降低成本方面考慮,研究在薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)中起關(guān)鍵作用的孔隙度不同的多層多孔硅。本文采用二步陽極氧化法以(100)單晶

2、硅片為襯底制備了雙層多孔硅。研究了電解液濃度、時間和電流密度對多孔硅孔徑和孔隙率的變化規(guī)律和對雙層多孔硅孔徑的影響,分析了退火對雙層多孔硅結(jié)構(gòu)的影響。得到的主要結(jié)論如下:
　　1.單層多孔硅的孔徑和孔隙率隨著陽極氧化電流密度的增加和腐蝕時間的延長而增大,而隨著電解液濃度的增高而減小。
　　2.實驗發(fā)現(xiàn)隨著電解液濃度的降低,形成的雙層多孔硅孔壁變薄,孔徑變大;隨著時間的推移和電流密度的增加,形成的雙層多孔硅的孔徑在增大。通過S

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