AlCu濺射工藝的關鍵技術及應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體公司在半導體芯片的制造工藝中,為了獲得較高的器件集成度并取得優(yōu)異的良率,需要嚴格控制各工序的關鍵參數,各工序的累計缺陷將會導致器件的失效,從而降低圓片的成品率,使公司的經濟利益及聲譽受損,難以在激烈的競爭中立足。濺射工藝也是半導體制造工藝的一個工序,尤其以濺射的方塊電阻、濺射顆粒、金屬膜均勻性、金屬膜反射率對濺射的品質影響至關重要,它們直接影響金屬膜在器件中的性能發(fā)揮,控制不好就會導致產品報廢。這些參數與工藝涉及到的氣體、工藝壓力

2、、濺射工藝距離、濺射真空度、濺射功率等條件密切相關,要獲得較好的質量控制具有一定的難度,在實際的應用當中也經常出現上述問題導致的良率低下、管芯失效的問題。如何及時發(fā)現并解決濺射工藝問題,可以提升良率、增加產品的核心競爭力。
  本文以在美國AMAT公司的ENDURA5500濺射臺所做的AlCu濺射為研究對象,來研究濺射工藝問題的產生、解決及編程監(jiān)控。AlCu薄膜作為集成電路的金屬內連線或引線,必須有良好的沉積效果和穩(wěn)定工藝來保證其

3、可靠性。本文分析了在AlCuSputter工藝過程中所有能夠影響到AlCu薄膜質量的相關因素,包括AlCu淀積設備的因素,如工藝的壓力(真空壓力、工藝氣壓)、工藝氣體流量(氣體比例、流量大?。?、工藝所需溫度、工藝所需功率等;相關的環(huán)境因素;相關的承載工具,如片架、片盒、機械手、heater、lifter、clamp等;同時研究了所涉及到的對材料淀積前的清洗處理工藝。本文在如何獲得最佳的薄膜均勻性和良好的薄膜反射率的關鍵技術方面取得了突破

4、,并獲得了良好的AlCu薄膜質量和良好的電學性能。
  針對工藝的實際應用,對濺射生產過程中產生的主要工藝問題進行系統(tǒng)分析,根據與之對應的軟件、硬件之間的關聯性,通過VB編寫相關問題的關聯程序,讓該程序指導查找問題,為生產線的工程人員提供一種解決濺射的工藝問題的指導。從工程師解決AlCu問題能力提高的雷達圖和半年內AlCu設備uptime趨勢圖可以看出,AlCu工藝在更加趨向穩(wěn)定,解決了AlCu工藝的穩(wěn)定性的問題,具有一定的實用價

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