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1、有機(jī)電致發(fā)光作為新型的發(fā)光技術(shù)越來越被人們認(rèn)識(shí)和使用,在過去的幾十年內(nèi),通過發(fā)光材料和器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化以及制備工藝的改革,有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光性能得到了很大的提升,但是有機(jī)電致發(fā)光的發(fā)光機(jī)理至今也沒有一個(gè)統(tǒng)一的理論,因此有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部發(fā)光機(jī)理的研究也顯得越來越重要?;谝陨辖榻B,本文主要做了以下工作:
利用熱蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備,制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/ m-MTDATA(20nm)/m-MTDATA∶3
2、TPYMB(1∶1,40nm)/3TPYMB(20nm)/LiF(0.8nm)/Al(80nm)的器件,并利用瞬態(tài)電致發(fā)光測(cè)量系統(tǒng)對(duì)其電子發(fā)光進(jìn)行了測(cè)量,測(cè)量脈沖為兩個(gè)周期性的驅(qū)動(dòng)脈沖,兩個(gè)脈沖的時(shí)間間隔為100us、300us、500us。研究發(fā)現(xiàn)在第二個(gè)脈沖驅(qū)動(dòng)下器件的EL強(qiáng)度穩(wěn)定值比第一驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)下的EL強(qiáng)度穩(wěn)定值大,且第二脈沖的EL強(qiáng)度穩(wěn)定值與第一脈沖EL強(qiáng)度穩(wěn)定值的比值隨通過器件的電流增大而減小,實(shí)驗(yàn)還發(fā)現(xiàn)第二脈沖撤銷時(shí)的延遲發(fā)
3、光衰減速度要比第一脈沖撤銷時(shí)的快,這是由于第二脈沖撤銷時(shí)發(fā)光層內(nèi)極化子(電荷)對(duì)激子的猝滅(TPQ)比較嚴(yán)重。
制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/Alq3(70,80,90,100nm)/Al(80nm); ITO/Alq3(10nm)/Bphen(20,30,40nm)/Al(80nm); ITO/NPB(10,20,30,40nm)/Alq3(20nm)/LiF/Al(80nm)的三大組基礎(chǔ)器件。利用瞬態(tài)電致發(fā)光測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)量,研
4、究發(fā)現(xiàn)相同電流密度下,電子傳輸層厚度越大在,器件達(dá)到穩(wěn)定發(fā)光所需要的時(shí)間越短,這是因?yàn)橐_(dá)到相同的電流密度,器件厚度越大,所需的電壓越高,較高的電壓提高了電子和空穴的注入能力,因此對(duì)器件發(fā)光達(dá)到穩(wěn)定發(fā)光的時(shí)間起到了縮減的作用。
制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT/TAZ∶ Ir0(10%wt)/LiF/Al的一組器件,其中發(fā)光層采用甩膜法制備,甩膜速度分別為1500 r/min、2000 r/min、2500 r/min、30
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