SiC增強AZ91D鎂合金微弧氧化膜層的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩65頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、鎂合金微弧氧化技術(shù)是通過電解液中的高壓放電作用,在金屬表面原位生長陶瓷膜的一種新工藝。本文是借鑒已有化學(xué)試劑配方組成、配比的基礎(chǔ)上,參考前期嘗試性試驗結(jié)果,通過在現(xiàn)有微弧氧化配方組成中添加SiC顆粒(粒徑≤5μm),并對其工藝參數(shù)進行了優(yōu)化,對所制備的微弧氧化復(fù)合膜層的特性進行了深入探討。
   在電解液配方組成部分,采用已有的硅酸鹽體系的電解液配方,添加增強體SiC顆粒(粒徑≤5μm),并對該體系的微弧氧化電解液配方及工藝參數(shù)

2、進行了優(yōu)化,確定電解液最佳配方為硅酸鈉15g/L、氫氧化鈉2g/L、氟化鉀13g/L、SiC顆粒3 g/L:最佳工藝參數(shù)為,恒流模式、頻率600Hz、占空比30%、微弧氧化時間50分鐘。
   在膜層性能研究部分,在該電解液配方和工藝參數(shù)條件下制備的微弧氧化復(fù)合膜層和在相同條件下所制備的微弧氧化膜層(電解液中未加入SiC顆粒)進行比較,微弧氧化復(fù)合膜層的膜厚均勻、致密度高、硬度高、耐腐蝕性能和耐磨損性能都優(yōu)于微弧氧化膜層,對微弧

3、氧化復(fù)合膜層和微弧氧化膜層的微觀表面形貌都進行SEM觀察分析發(fā)現(xiàn):膜層表面都是由許多微孔構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),但是前者更致密、孔徑相對較小、微裂紋相對較少。對微弧氧化復(fù)合膜層進行XRD物相分析發(fā)現(xiàn):該膜層主要是由Mg、MgO、Mg2SiO4和SiC組成。對微弧氧化復(fù)合膜層進行EPMA元素濃度變化分析發(fā)現(xiàn):膜層中Mg、Si、C、O的元素沿選定直線方向上的濃度的變化情況。對微弧氧化復(fù)合膜層進行EDS元素含量和分布的分析發(fā)現(xiàn):氧化時間對Si、C、O

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論