已閱讀1頁，還剩63頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、在45nmCMOS工藝進入商業(yè)化生產(chǎn)的今天，為避免超薄柵介質(zhì)的引入所導(dǎo)致的柵極漏電流影響器件的可靠性，業(yè)界已普遍采用高k材料取代傳統(tǒng)SiO2材料作為新型的柵介質(zhì)。但相對于已經(jīng)成熟運用的傳統(tǒng)SiO2柵介質(zhì)，人們對以HfO2為代表的高k柵介質(zhì)特性的了解還不夠深入。目前在高k材料電學(xué)特性的研究方向之中，由于柵極漏電現(xiàn)象對器件的主要工作參數(shù)影響較大，已經(jīng)成為了研究熱點。
本文從高k柵介質(zhì)的制作工藝入手，分析了由ALD工藝淀積高k柵
2、介質(zhì)層的原理和工藝流程，研究了制作工藝中形成的界面層對器件特性的影響。以此為基礎(chǔ)，討論了薄柵MOS器件的柵極漏電流。通過實驗檢測和理論分析，并對比傳統(tǒng)柵介質(zhì)中電流的形成原理，對高k柵介質(zhì)中電流的主要導(dǎo)通機理進行了深入研究，得到了F-N隧穿電流和肖特基發(fā)射電流在高k柵介質(zhì)漏電流中占有較大組分的結(jié)論。此外，還研究了恒定電應(yīng)力對高k柵介質(zhì)漏電流產(chǎn)生的影響，提出了恒定應(yīng)力下，界面層中存在的陷阱俘獲效應(yīng)抑制了柵極漏電流的新觀點。
由
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 高k柵介質(zhì)硅MOS器件柵極漏電流模型及制備工藝研究.pdf
- 小尺寸高k柵介質(zhì)MOS器件柵極漏電特性研究.pdf
- 起落柵氧MOS器件柵泄漏電流研究.pdf
- La-基高k柵介質(zhì)Ge MOS器件制備及柵極直接隧穿電流模型.pdf
- 高k柵GaAs和InAlAs MOS電容柵漏電流特性研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)SiGe MOS器件電特性研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)MOS器件模型和制備工藝研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)MOS器件的特性模擬與實驗研究.pdf
- 高K柵介質(zhì)AlGaN-GaN MOS-HEMT器件研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)AIGaN-GaN MOS-HEMT器件特性研究.pdf
- 高κ柵介質(zhì)MOS器件電學(xué)特性的研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)AlGaN-GaN MOS-HEMT器件性能研究.pdf
- 基于高k柵介質(zhì)的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體MOS器件研究.pdf
- 小尺寸MOS器件柵極漏電與軟擊穿特性研究.pdf
- 高K柵介質(zhì)Ge MOS電容特性與制備研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)Ge-MOS器件電特性模擬及制備工藝研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)Ge MOS器件界面鈍化層材料及工藝優(yōu)化研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)Ge基MOS器件電特性模擬及界面特性研究.pdf
- 高k柵介質(zhì)GaAs MOS器件閾值電壓模型及界面特性研究.pdf
- 氮化鎵HEMT器件柵泄漏電流產(chǎn)生機理研究.pdf
評論
0/150
提交評論