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文檔簡介
1、隨著CMOS技術的快速發(fā)展,尤其是器件尺寸的縮小,模擬電路和射頻電路中所需的電壓越來越小,這增加了模擬電路和射頻電路的挑戰(zhàn)。其中一個主要的挑戰(zhàn)就是隨著電壓的急劇減小,電壓的線性度,動態(tài)范圍和穩(wěn)定性減小。在射頻電路中,隨著電壓的減小,噪聲波紋和交叉耦合開始起主導作用。為了克服噪聲,在模擬電路和射頻電路中,需要有一個好的電源管理器。這個電源管理器需要有低噪聲和快的瞬態(tài)特性,以此來增強電路的性能和增加電池的生命。所以本文對低壓差線性穩(wěn)壓器進行
2、了研究。
首先,闡述了選題的背景和意義,并分析其發(fā)展趨勢。
其次,對LDO的各個模塊進行了分析,分析了他們的原理和結構以及相應的指標。
再次,對各個模塊進行了設計并仿真其相關的性能參數(shù),并重點分析了穩(wěn)定性,對幾種常見的穩(wěn)定性補償方法做了比較,最終采用一種嵌套密勒電容的補償方法。
最后,對整體模塊進行了仿真,本文LDO的輸入電壓是2.5 V-4 V,輸出電壓在1.75 V-1.85 V之間,壓差小于
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