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文檔簡介
1、本論文采用水熱共沉淀法制備了8-羥基-1,3,6-三磺酸基芘陰離子(HPTS3-)和辛烷磺酸陰離子(OS-)共插層Zn-Al水滑石復合體系;研究了插層對其光學特性產生的影響。通過溶劑蒸發(fā)法在ITO襯底上構筑了HPTS-OS/水滑石薄膜并研究了其傳感器性能。
采用水熱合成法制備了HPTS-OS/Zn-Al水滑石插層材料,XRD測試結果表明,客體分子進入層間,且晶型較好。熒光光譜測試表明,調變不同的插層比例,以HPTS(2%)
2、-OS/Zn-Al水滑石共插層產物熒光最強。辛烷磺酸根陰離子有效的防止了HPTS3-的聚集,與插層前的固體粉末相比,熒光強度得到了較大的提高。由于水滑石層間的限域效應大大束縛了HPTS的激發(fā)態(tài)質子轉移行為,因此產物具有較強的藍光發(fā)射。插入水滑石層間的熒光分子受到水滑石層板的保護,帶正電荷的層板對于某些陽離子型淬滅劑的淬滅效果起到了很好的屏蔽作用。例如在水溶液中Cu2+是有效的淬滅劑,但插層后的產物在較高的Cu2+濃度下也保持良好的熒光特
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