高頻磁性薄膜及其在電磁噪聲抑制中的應(yīng)用.pdf

1、面對電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢以及高頻電磁環(huán)境的日益惡化,EMC問題成為人們?nèi)找骊P(guān)心的重點。為了實現(xiàn)對高頻電磁噪聲信號的抑制,避免各級電路和各種電子設(shè)備之間的電磁信號干擾,保證一個良好的電磁環(huán)境,人們研究了各種新型抗EMI器件和材料。本文以高頻磁性薄膜噪聲抑制器為研究對象對其進行了原理到設(shè)計、制備各個方面的研究,主要內(nèi)容如下:
　　1.采用HFSS有限元仿真的方法對薄膜噪聲抑制器進行了仿真,研究發(fā)現(xiàn)了三維尺寸影響了薄膜的退磁

2、因子和磁導率,進而影響了薄膜的鐵磁共振頻率和噪聲抑制效果;薄膜電阻對插入損耗和噪聲信號功率損耗均有很大的影響,應(yīng)合理控制薄膜電阻;多層膜的引入可以有效的減小渦流損耗造成的通頻帶內(nèi)的插入損耗,同時提高阻帶內(nèi)的噪聲抑制效果;計算和仿真了新型的鐵磁性納米陣列薄膜噪聲抑制器,提出了提高薄膜噪聲抑制器抑制效果和減小厚度的一些方法,為后文薄膜的制備提出了實驗指導。
　　2.采用固相反應(yīng)法制備了Ni0.22Zn0.52Co0.03Fe2.23O

3、4鐵氧體靶材,通過磁控濺射工藝研究了FeCo薄膜的最佳制備工藝,得出了在Ar氣流量30sccm、濺射功率200W制備工藝下薄膜具有最佳高頻磁特性。
　　3.采用貼靶的方法制作了FeCo基復合靶材,通過控制FeCo基靶上的NiZn鐵氧體靶材數(shù)量控制薄膜的成分,濺射工藝采用FeCo的最佳制備工藝,制備了不同厚度的薄膜,最終得出隨著NiZn鐵氧體成分的提高,薄膜的電阻率提高,但是高頻磁特性有所下降。
　　4根據(jù)國際電工委員會(IE