2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、硅太陽能電池發(fā)展至今,其制造成本相對比較低廉,制備工藝也已經(jīng)趨于完善和成熟。并且,硅太陽能電池不僅具有晶體硅材料長壽命和高轉(zhuǎn)換效率的特性,還具備非晶硅薄膜材料那樣簡化的制備工藝等優(yōu)點。因此,硅太陽能電池已經(jīng)成為了新一代太陽能電池發(fā)展的主流方向之一。但是,硅太陽能電池的性能卻是嚴重受到半導(dǎo)體材料中深能級缺陷中心行為的影響。
  由于有害的雜質(zhì)或晶體缺陷能級會在半導(dǎo)體材料的禁帶中產(chǎn)生深能級缺陷中心,進而會影響半導(dǎo)體材料的特性。因此,我

2、們研究深能級缺陷能級中心的本質(zhì)特性和掌握其在半導(dǎo)體材料中的生長、加工以及控制其在電池制造過程中的摻雜濃度,是對提高太陽能電池的成品率具有非常重要的意義。而本文中我們利用的深能級瞬態(tài)(DLTS)測試技術(shù),是現(xiàn)在研究半導(dǎo)體材料中深能級最為傳統(tǒng)、簡便和有效的測試手段之一。
  本文利用Booton7200快速電容計、溫度控制“冷井”裝置和Tektronix DPO7104C數(shù)字熒光示波器等儀器設(shè)計搭建出基本DLTS測試系統(tǒng)。并利用該系統(tǒng)

3、,測量出多晶硅太陽能電池的C-T曲線。經(jīng)過多次計算與處理,我們得到,當樣品電池兩端施加反向偏壓為-400mV,并且溫度T大約在130K、164K、226K和271K時出現(xiàn)了4個明顯峰值的DLTS譜,而且在測試過程中樣品兩端施加的反向偏壓大小不同,得出的DLTS譜強度也是不同的,我們得到樣品的臨界填充脈沖電壓為-200mV。通過程序“率窗”選擇器的不斷地改變選定的“率窗”t1、t2并分析計算處理得到的DLTS譜線,我們給出了多晶硅太陽能電

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