氧化鋅—石墨烯復合材料的制備及光響應研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種寬帶隙的多功能半導體材料，具有優(yōu)良的物理和化學性質。石墨烯作為一種零帶隙的半導體材料，具有極高的載流子遷移率和特殊的輸運特性。電化學自組裝方法因具有沉積速率高、操作溫度低、可以在復雜襯底表面生長，成本低和環(huán)境友好等優(yōu)點，而在材料合成領域受到了廣泛重視。本論文首先采用電化學沉積法制備了微觀呈六棱柱形的納米ZnO，研究了沉積參數(shù)對ZnO微觀形貌及光電性能的影響。在此基礎上，采用電沉積方法制備了ZnO-石墨烯復合薄膜，研

2、究了石墨烯對氧化鋅的微觀形貌和光響應的影響。
　　 本論文研究了電化學法制備氧化鋅納米粒子的生長機理，討論了不同的電解液濃度和沉積時間對氧化鋅納米粒子的結構和光學性質的影響。結果顯示提高電解液的濃度會有利于得到大直徑的納米柱、增大晶粒尺寸并且使得紫外區(qū)吸收峰發(fā)生紅移。在紫外光照射下研究了氧化鋅薄膜的光響應性能，通過增加沉積過程中的電解液的濃度和沉積時間可以明顯提高氧化鋅薄膜的光響應性能。
　　 利用電化學自組裝方法獲得多