利用激光等離子體沖擊波清洗硅片表面納米粒子的研究.pdf

1、硅片表面附著的納米粒子污染物可導(dǎo)致芯片缺陷的產(chǎn)生，傳統(tǒng)的化學(xué)清洗方法存在著易對(duì)硅片產(chǎn)生二次污染的不足。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的激光誘導(dǎo)等離子體沖擊波清洗技術(shù)是一項(xiàng)能夠有效地清除基底表面吸附粒子的新技術(shù)，該技術(shù)以清洗定位準(zhǔn)確、可避免傳統(tǒng)的化學(xué)清洗方法對(duì)樣品所帶來(lái)的二次污染以及適用范圍廣等諸多優(yōu)點(diǎn)正在被各個(gè)領(lǐng)域廣泛地使用，這為半導(dǎo)體工業(yè)加工中硅基片表面納米尺度粒子污染物的清洗提供了一種新的途徑。
　　本文對(duì)激光誘導(dǎo)等離子體沖擊波清洗硅片表面直

2、徑500nm的聚苯乙烯膠乳粒子進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，首先研究了實(shí)驗(yàn)參數(shù)（清洗間距、激光能量、作用激光脈沖數(shù)等）對(duì)清洗效率的影響，結(jié)果表明隨著清洗間距的減小和激光能量的增加，清洗效果顯著增強(qiáng)。隨著作用脈沖數(shù)的增加，表面清洗圖樣由環(huán)形向圓形發(fā)生轉(zhuǎn)變。使用滾動(dòng)模型數(shù)值模擬了清洗間距和激光能量對(duì)清洗效果的影響，模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果較好符合。通過(guò)對(duì)沖擊波不同傳播距離的清洗效果的數(shù)值模擬結(jié)果和不同脈沖數(shù)清洗的清洗實(shí)驗(yàn)結(jié)果（清洗圖樣由環(huán)形向圓形發(fā)生轉(zhuǎn)變）的