ZnO納米錐陣列的合成及光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf

1、本論文使用水熱合成法，首先通過(guò)對(duì)反應(yīng)條件的優(yōu)化，在FTO導(dǎo)電玻璃表面上合成了高度有序的ZnO納米棒陣列薄膜，并以此作為模板，制備出了高度有序的ZnO納米錐陣列薄膜。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，高度有序的ZnO納米棒陣列模板對(duì)ZnO納米錐陣列的合成起著至關(guān)重要的作用，相同的實(shí)驗(yàn)方法下，如果不使用模板，只能制備出無(wú)序的ZnO納米錐薄膜。實(shí)驗(yàn)采用了電子掃描顯微鏡(SEM)、X射線粉末衍射儀(XRD)、紫外可見(jiàn)吸收光譜(UV-visible absorption

2、)及熒光光譜(PL)對(duì)樣品進(jìn)行表征。結(jié)果表明，實(shí)驗(yàn)制備出樣品的成分是ZnO，并且高度有序的ZnO納米錐陣列呈現(xiàn)出高度c軸取向性以及很好的結(jié)晶度，平均長(zhǎng)度最高可達(dá)9μm；紫外可見(jiàn)吸收光譜的結(jié)果顯示，高度有序的ZnO納米錐陣列薄膜具有很強(qiáng)的陷光效應(yīng)，因而，高度有序的ZnO納米錐陣列薄膜比有序的ZnO納米棒陣列薄膜有更高的光吸收率及更低的光透過(guò)率。這使得高度有序的ZnO納米錐陣列薄膜可以更有效的應(yīng)用于光電器件，例如光伏電池的研究。